一、代謝物簡況
1、物質基本特征:
- 顯示電壓值企業規模:2.7V-24V
- 輸進電壓降數量:4.5V-24V
- 集變成了兩18mΩ FET
- 可程序編程面板開關頂值電流大小:15A
- 可手動調節理旋鈕周期:多達2.2MHz
- 可市場機制額定負載斷開連接副作用的柵極驅動程序器
- 自動封控斷路保護攻效
- 芯片封裝:QFN3.5x4.5-20L
2、采用人生道理圖:
3、代謝物描寫出
PL32001不是款24V云同步升壓轉型器,內嵌式主要用于負載阻值電機功率斷開連接的柵極驅使器。它集成為了一兩個低導通阻值電機功率的電機功率場邊際效應結晶體管(FET):一兩個導通阻值電機功率為18mΩ的旋鈕FET和一兩個導通阻值電機功率為18mΩ的整流FET。 PL32001進行自順應時勢平穩關斷時峰峰值感應工作電流大小的方式有節制。它更具各項這樣有利于的進步輕載追溯力的外部結構特殊性。當顯示感應工作電流大小較低時,PL32001將進不持繼導通的方式(DCM)。PL32001的可設置成裝配罷放特殊性包含了可程序設計逐時間間隔感應工作電流大小有限、可程序設計按鈕開關頻度功能和的方式挑好功能。 PL32001在關斷時可以可能將輸進端與輸進端斬斷。當輸進端有不導通,它會進入打嗝類型接下來降熱應力應變,如果在不導通室內環境消弭后可自主的規復。另一,它還體現了過壓保護(OVP)和熱保護藥用價值,防患未然止展現小毛病轉動。
4、更優合理利用處景
- 藍牙音響
- Thunderboltusb接口
- 攜便式式在刷寶移動POS機上刷信用卡機(POS)末端
- 智能煙
5、裝封新信息
6、管腳界說和藥用價值描述
管腳攻效描述
序號 | 稱號 | 描寫 |
---|---|---|
1 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
2 | EN | 使能引腳。將其拉高以使集成電路開啟,不要讓該引腳處于懸空狀況 |
3 | FREQ | 開關頻次由該引腳與SW引腳之間的一個電阻停止設定。在現實利用中,該引腳不能懸空 |
4 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
5 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
6 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
7 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
8 | BST | 自舉引腳。在開關引腳(SW)和自舉引腳(BST)之間毗連一個0.1μF或容量更大的電容器,以便為高側柵極驅動器供電 |
9 | VIN | 輸入電源引腳。利用一個大容量電容將VIN引腳旁路至地(GND),并且最少還要利用一個0.1微法(μF)的陶瓷電容,以消弭輸入到集成電路(IC)的噪聲。將這些電容安排在接近VIN引腳和GND引腳的地位 |
10 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
11 | AGND | 摹擬地 |
12 | DISDRV | 這是外部斷開場效應晶體管(FET)的柵極驅動輸入引腳。將DISDRV引腳毗連到外部場效應晶體管的柵極。若是不利用負載斷開功效,則使該引腳懸空 |
13 | MODE | 這是操縱形式挑選引腳。有一個2兆歐的外部電阻將此引腳毗連到參考電壓(VREF)。當該引腳為邏輯高電日常平凡,啟用持續導通形式(CCM);為邏輯低電日常平凡,啟用不持續導通形式(DCM);若引腳懸空,則啟用超同步調制形式(USM) |
14 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
15 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
16 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
17 | FB | 反應輸入引腳。FB引腳用于檢測輸入電壓,經由過程一個毗連在輸入端和地之間的電阻分壓器與FB引腳相連。FB是一個敏感節點,應使FB引腳闊別開關引腳(SW)和自舉引腳(BST) |
18 | COMP | 這是外部偏差縮小器的輸入引腳。環路彌補收集需毗連至COMP引腳和摹擬地(AGND)引腳。COMP是一個敏感節點,要讓它闊別SW引腳和BST引腳 |
19 | ILIM | 可調理的高壓側場效應晶體管(LSFET)峰值電流限定。需毗連一個電阻到摹擬地(AGND) |
0 | PGND | 功率接地。高壓側場效應晶體管(LSFET)的源極外部毗連到功率地(PGND) |
二、手工藝word文件
范例 | 標題 | 上傳時候 | 文檔下載 |
物質規格為書(英文翻譯) | PL32001_Datasheet_V1.0 | 2025/05/06 | PDF下載 |
三、進行方案
序號 | 標題 |
1 |
智能窗簾利用計劃
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1 |
無線充利用計劃
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